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    光耦继电器G3VM-31HR1光敏半导体MOS FET

    光耦继电器G3VM-31HR1光敏半导体MOS FET

    产品分类:MOS FET继电器
    产品
    • 种类
    • 额定/性能
    • 外形尺寸
    • 注意事项

    SOP6针封装,实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的光敏半导体MOS FET
    连续负载电流 4.5A(9A)*
    * C连接时的值为()中的值。

    种类

    形状 接点结构 端子种类 负载电压
    (最大) 
    连续负载电流
    (最大) 
    型号 最小包装 单位(个)
    A、B连接 C连接 包装状态/
    杆状
    包装状态/
    带状
    SOP6 1a 表面安装端子 30V 4.5A 9.0A G3VM-31HR1 75 ---
    G3VM-31HR1(TR05) --- 500
    VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟 使用环境温度 Ta -40~+110 ºC 无结冰、无凝露 保存温度 Tstg -55~+125 ºC 焊接温度条件   260 ºC 10s
    1.
    测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。
    连接示例
    A连接 A连接
    B连接 B连接
    C连接 C连接

    电气性能

    (Ta = 25°C)

    项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件


    LED正向电压 VF 1.50 1.65 1.80 V IF=10mA
    反向电流 IR --- --- 10 µA VR=5V
    端子间电容 CT --- 70 --- pF V=0、f=1MHz
    触发LED正向电流 IFT --- 0.3 3 mA IO=1000mA
    复位LED正向电流 IFC 0.1 --- --- mA IOFF=10μA


    最大输出导通电阻 A连接 RON --- 0.022 --- Ω IF=5mA
    IO=4.5A(A、B连接)、
    IO=9A(C连接)、
    t <1S
    B连接 --- 0.011 ---
    C连接 --- 0.006 ---
    A连接 --- --- 0.03
    B连接 --- --- 0.015
    C连接 --- --- 0.008
    开路时漏电流 ILEAK --- --- 1000 nA VOFF=30V
    端子间电容 COFF --- 1200 --- pF V=0、f=1MHz
    输入输出间电容 CI-O --- 0.8 --- pF f=1MHz、VS=0V
    输出输入间电容绝缘电阻 RI-O 1000 108 --- VI-O=500VDC、
    RoH≤60%
    动作时间 tON --- 0.6 2 ms IF=5 mA、
    RL=200Ω、
    VDD=20V∗2
    复位时间 tOFF --- 0.15 0.5
    2.
    动作、复位时间
    动作、复位时间

    外形尺寸

    (单位 : mm)

    ※标记内容与实际商品有所不同。

    G3VM-31HR1

    • 表面安装端子

      (重量:0.13g)

      表面安装端子
    • 实际焊盘尺寸

      (推荐值 TOP View)

      实际焊盘尺寸
      端子配置/内部接线图

      (Top View)

      端子配置/内部接线图